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반사고속 양전자회절법을 이용한 실리센 구조 결정에 성공

운영자 2013.11.27 09:00 조회 수 : 1887

일본 고에너지 가속기연구기구(KEK) 물질구조과학연구소의 연구그룹과 일본원자력연구개발기구 선단기초연구센터의 연구그룹 및 동경대학 물성연구소 연구그룹은 공동으로 결정 가장 바깥 표면의 원자배열을 매우 정밀하게 결정할 수 있는 반사고속 양전자회절법을 이용하여 은 단결정 표면 위에 형성한 실리콘의 원자 1층으로 구성된 실리센의 구조를 조사하였다. 그 결과, 실리센은 탄소원자 1층으로 구성된 평면 형태 그래핀과...


원문출처 : http://mirian.kisti.re.kr/futuremonitor/view.jsp?record_no=242485&cont_cd=GT
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