고효율 LED를 위한 저저항 n-형 알루미늄 갈륨 질화물

일본의 메이조 대학과 나고야 대학 연구원들은 저저항 n-형 알루미늄 갈륨 질화물(n-AlGaN)을 성공적으로 제조했다[Toru Sugiyama et al, Appl. Phys. Express, vol6, p121002, 2013]. 자외선 발광다이오드(LED)의 부분으로 n-AlGaN을 이용하여 연구원들은 월-플러그(wall-plug) 효율을 15%까지 증가시켰다. 저저항 n-AlGaN은 유기 금속 기상 성장법(metal-organic vapor phase epitaxy; MOVPE)으로 사파이어 기판 상에 형성되...


원문출처 : http://mirian.kisti.re.kr/futuremonitor/view.jsp?record_no=243319&cont_cd=GT