미국 워싱턴 소재 미해군 연구소 연구원들은 GaN 내 Mg를 주입하고 공동 주입 없이 최초로 주입된 물질의 전기적인 활성화를 실현하는 새로운 고온 열처리 기술을 개발했다. 또한 1%에서 10%까지 실시간 Mg-도핑된 GaN의 활성화 비율을 증가시켰다.
고파괴 전기장과 고전자 이동도 모두를 가진 GaN 물질 시스템은 고전력, 고주파수 응용들에 매우 매력적이다. AlGaN/GaB HEMT 소자는 RF 증폭기를 위한 우수한 기술을 이끌었다....
원문출처 :
http://mirian.kisti.re.kr/futuremonitor/view.jsp?record_no=244861&cont_cd=GT
