일반적인 실리콘 전자소자로 반도체 나노와이어를 연결하는 것이 나노기술 런던 센터와 UCL 전자공학과 연구원들에 의해 주된 문제가 해결되었다.
"Mobility Enhancement by Sb-mediated Minimisation of Stacking Fault Density in InAs Nanowires Grown on Silicon"이라는 제목으로 나노 레터스 최근호에 실린 연구 보고에서, 연구원들은 실리콘 웨이퍼 상에 직접 성장된 인듐 아세나이드 나노 와이어의 전자적인 ...
원문출처 :
http://mirian.kisti.re.kr/futuremonitor/view.jsp?record_no=244965&cont_cd=GT
