후지쯔 세미컨덕터(Fujitsu Semiconductor)(이하, 후지쯔)는 2013년 12월 DDC(Deeply Depleted Channel) 기술을 적용한 논리 회로와 플래시 메모리 셀을 동일 칩에 혼재하여 후지쯔 미에(Mie, 三重) 공장의 55 nm 프로세스로 제조할 수 있는 기술을 개발했다고 발표하였다. 지금까지 고온에서의 프로세스 처리가 필요하게 되어 온 플래시 메모리 셀을 저온 프로세스만으로 형성하는 것에 성공한 것으로 논리 회로와의 혼재를 가능...
원문출처 :
http://mirian.kisti.re.kr/futuremonitor/view.jsp?record_no=243456&cont_cd=GT
